講座 メモリ：SRAM並みの高速性を 実現したDRAM技術：任天堂の次世代ゲーム機向けシステムLSIに搭載 Mark－Eric Jones Vice President ＆ General Manager of Intellectual Property 米MoSys， Inc．
書誌事項
- タイトル別名
-
- 講座/メモリ SRAM並みの高速性を実現したDRAM技術--任天堂の次世代ゲーム機向けシステムLSIに搭載
- コウザ メモリ SRAM ナミ ノ コウソクセイ オ ジツゲン シタ DRAM ギジュツ ニンテンドウ ノ ジ セダイ ゲームキ ムケ システム LSI ニ トウサイ
- 講座/メモリ SRAM並みの高速性を実現したDRAM技術--任天堂の次世代ゲーム機向けシステムLSIに搭載
この論文をさがす
説明
米MoSys，Inc．は，DRAMと同じメモリ・セル構造を採りながらSRAM並みのアクセス性能を実現したメモリ「1T—SRAM」を開発した。ネットワーク機器や民生機器などに搭載するシステムLSIへの埋め込みを想定する。0．18nmルールのプロセス技術で作るLSIに埋め込んだ際のランダム・アクセス時間は5ns未満と短い。
収録刊行物
-
- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
-
日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (783), 171-178, 2000-11-20
東京 : 日経BP
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520572358053917824
-
- NII論文ID
- 40002805860
-
- NII書誌ID
- AN0018467X
-
- ISSN
- 03851680
-
- NDL書誌ID
- 5565241
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDLサーチ
- Nikkei BP
- CiNii Articles
