SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 : 双対性による逆方向電流のモデル化
書誌事項
- タイトル別名
-
- SiC パワーデバイス(DioMOS)ノ SPICE モデル ノ コウチク : ソウツイセイ ニ ヨル ギャクホウコウ デンリュウ ノ モデルカ
- Spice Model of SiC Power MOSFET (DioMOS) : Modeling Methodology for Reverse Current-voltage Characteristics of SiC
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (291), 19-24, 2014-11
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520572358166760320
-
- NII論文ID
- 110009971783
-
- NII書誌ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL書誌ID
- 025980612
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles