Epitaxial Growth of SiGe Films Grown by Ion-Beam Sputtering and Generation of Large Thermoelectric Power
書誌事項
- タイトル別名
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- Epitaxial Growth of SiGe Films Grown by Ion Beam Sputtering and Generation of Large Thermoelectric Power
- イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエピタキシャル成長と巨大熱起電力の発現
- 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicat ion of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)
- 2004 Asia Pacific Workshop on Fundamentals and Applicat ion of Advanced Semiconductor Devices AWAD 2004
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (152), 91-95, 2004-06-30
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358333777408
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- NII論文ID
- 110003175593
- 110003309126
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles