Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　フラッシュにコストで挑む：RRAM（動作原理）●　メカニズムの有力な仮説を提案

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タイトル別名
  • RRAM(動作原理) メカニズムの有力な仮説を提案
  • RRAM ドウサ ゲンリ メカニズム ノ ユウリョク ナ カセツ オ テイアン
  • RRAM(動作原理) メカニズムの有力な仮説を提案
  • Cover Story フラッシュにコストで挑む ; コストでフラッシュに対抗できる新型メモリーが実用化へ前進
  • Cover Story フラッシュ ニ コスト デ イドム ; コスト デ フラッシュ ニ タイコウ デキル シンガタ メモリー ガ ジツヨウカ エ ゼンシン

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抄録

RRAM（resistive　RAM）の動作メカニズムに関して，産業技術総合研究所　強相関電子技術研究センター　主任研究員の澤彰仁氏の講演内容を以下にまとめる。　RRAMのメモリー機能を担う電界誘起巨大抵抗変化（CER　効果　：　colossal　electro—resistance）のメカニズムを検証した。その結果，RRAMの動作メカニズムを矛盾なく説明できるモデルを見いだすことができた。

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