招待講演 トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
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- ショウタイ コウエン トランジスタ リョウイキ ゴト ニ サイテキカサレタ フクスウ ヒズミ ギジュツ オ モチイル 45nm コウセイノウ テイリーク バルク ロジック プラットフォーム ギジュツ
- High-performance and low-leak bulk logic platform utilizing FET specific multiple stressors with highly enhanced strain for 45-nm CMOS technology
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (455), 13-16, 2008-01-24
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358752538624
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- NII Article ID
- 110006613691
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 9375951
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles