H₂O導入MOCVD法によるCeO₂薄膜形成時の堆積メカニズムと電気特性
書誌事項
- タイトル別名
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- H ₂ O ドウニュウ MOCVDホウ ニ ヨル CeO ₂ ハクマク ケイセイジ ノ タイセキ メカニズム ト デンキ トクセイ
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収録刊行物
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- 法政大学イオンビーム工学研究所報告
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法政大学イオンビーム工学研究所報告 (31), 23-26, 2010
小金井 : 法政大学イオンビーム工学研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358823725056
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- NII論文ID
- 40019222756
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- NII書誌ID
- AN00354689
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- ISSN
- 02860201
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- NDL書誌ID
- 023569989
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles