ALD法で作製したAl₂O₃(Ta/Nb)Ox/Al₂O₃多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価
Bibliographic Information
- Other Title
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- ALDホウ デ サクセイ シタ Al ₂ O ₃(Ta/Nb)Ox/Al ₂ O ₃ タソウ コウゾウ ノ チャージトラップフラッシュメモリー ノ ヒョウカ
- Characteristics of charge trap flash memory with Al₂O₃(Ta/Nb)Ox/Al₂O₃ multi-layer by ALD method
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (88), 31-35, 2014-06-19
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358912719104
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- NII Article ID
- 110009925374
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 025590187
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
