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32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
Bibliographic Information
- Other Title
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- 32nm セダイ イコウ ノ CMOS ムケ メタル ゲート High k ゼツエンマク ギジュツ ノ ドウニュウ ニ ヨル MOSFET トクセイ ノ ヘンカ
- Influence of metal gate/high-k technology introduction on MOSFET device characteristics beyond 32nm node
- 集積回路
- シュウセキ カイロ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (195), 101-106, 2007-08
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572359013464448
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- NII Article ID
- 110006391850
- 110006390353
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
- CiNii Articles