書誌事項
- タイトル別名
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- MOCVDホウ ニ ヨル GaN 、 GaInN ジョウ エ ノ アツマク AlInNマク ノ エピタキシャル セイチョウ
- Epitaxial growth of thick AlInN films on GaN and GaInN by MOCVD
- レーザ・量子エレクトロニクス
- レーザ ・ リョウシ エレクトロニクス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 (304), 49-52, 2019-11
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572359020036864
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- NII論文ID
- 40022095307
- 40022094367
- 40022094887
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles
