招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
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- Other Title
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- ショウタイ コウエン MOVPE サイセイチョウ ニ ヨリ ケイセイ シタ(111)Bメン オ ユウスル コウイドウド サンカク ケイジョウ InGaAs-OI nMOSFETs
- High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth
- シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ(IEDM トクシュウ)
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (420), 9-12, 2014-01-29
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572359051503232
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- NII Article ID
- 110009825258
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 025278537
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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