書誌事項
- タイトル別名
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- TSVベースの3次元化が半導体の基盤技術に
- TSV ベース ノ 3ジゲンカ ガ ハンドウタイ ノ キバン ギジュツ ニ
- TSVベースの3次元化が半導体の基盤技術に
- TSVが本流となる条件--3次元積層技術の普及シナリオ ; TSVの普及シナリオ コスト削減が普及のカギ,目指すは50米ドル/ウエーハ
- TSV ガ ホンリュウ ト ナル ジョウケン 3ジゲン セキソウ ギジュツ ノ フキュウ シナリオ ; TSV ノ フキュウ シナリオ コスト サクゲン ガ フキュウ ノ カギ メザス ワ 50ベイドル ウエーハ
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抄録
TSV(Si貫通ビア)を使った3次元積層技術は,半導体の一般的な製造技術として使われるようになると考えている。現在の応用先のほとんどはCMOSイメージ・センサーだが,2010年から市場規模の大きなメモリーにも広がっていくと予測している(図7)。 われわれは,2008〜2015年におけるTSV加工ウエーハの平均年間成長率が,50%以上に達すると見ている注6)。
収録刊行物
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- Nikkei microdevices : デバイス・イノベーションをリードする
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Nikkei microdevices : デバイス・イノベーションをリードする (286), 22-25, 2009-04
東京 : 日経BP社
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572359090486784
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- NII論文ID
- 140000219222
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- NII書誌ID
- AN10093129
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- ISSN
- 13494619
- 09107207
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- NDL書誌ID
- 10246197
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM13(科学技術--科学技術一般--データ処理・計算機)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP
- CiNii Articles