SiC MOSFETのハーフブリッジ回路を用いた放射ノイズの支配的動作の分離に関する検討
書誌事項
- タイトル別名
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- SiC MOSFET ノ ハーフブリッジ カイロ オ モチイタ ホウシャ ノイズ ノ シハイテキ ドウサ ノ ブンリ ニ カンスル ケントウ
- Consideration of dominant switching timing separation on radiated noise using SiC MOSFET half bridge
- 半導体電力変換研究会・エネルギー技術,半導体電力変換,一般
- ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ケンキュウカイ ・ エネルギー ギジュツ,ハンドウタイ デンリョク ヘンカン,イッパン
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
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電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2021 (103-106), 7-11, 2021-07-20
東京 : 電気学会
