高密度に形成されたInAs/GaAs量子ドット集合体の発光特性
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- コウミツド ニ ケイセイ サレタ InAs GaAs リョウシ ドット シュウゴウタイ ノ ハッコウ トクセイ
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- 甲南大学紀要. 理学編 / 甲南大学 編
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甲南大学紀要. 理学編 / 甲南大学 編 46 (1), 35-42, 1999
神戸 : 甲南大学
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572360150200704
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- NII Article ID
- 110000431558
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- NII Book ID
- AN00084653
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- ISSN
- 04524160
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- NDL BIB ID
- 4815775
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
