Si-MOS n型反転層内のアンダーソン局在と負磁気抵抗
書誌事項
- タイトル別名
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- Si MOS nガタ ハンテンソウナイ ノ アンダーソン キョクザイ ト フ
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抄録
記事分類: 物理学--分子・物性--半導体
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 50 (8), p857-865, 1981-08
東京 : 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572360202601344
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- NII論文ID
- 40000278242
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 2322454
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles