High Mobility Electrons in AlGaAs/GaAs Modulation-Doped Heterostructures and Their Ballistic Characteristics
書誌事項
- タイトル別名
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- High Mobility Electrons in AlGaAs GaAs
- Proceedings of International Symposium on Surfaces and Thin Films of Electronic Materials--October 3-4,1995,Sanaru Hall,Hamamatsu Campus,Shizuoka University
- Proceedings of International Symposium
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収録刊行物
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- 静岡大学電子工学研究所研究報告
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静岡大学電子工学研究所研究報告 30 (3), 7-11, 1995
浜松 : 静岡大学電子工学研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572360256761088
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- NII論文ID
- 110007879926
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- NII書誌ID
- AN00103204
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- ISSN
- 02863383
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- NDL書誌ID
- 4077047
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles