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Effects of Gamma-Ray Irradiation and the Mechanisms on Electrical Characteristics of SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures

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Other Title
  • 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム
  • タンカ ケイソ ハンドウタイ MOS コウゾウ ノ ガンマセン ショウシャ コ
  • 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム
  • ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集
  • ワイド ギャップ ハンドウタイ ト ソノ デバイス オウヨウ ロンブン ショウ

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Abstract

宇宙環境で使用される半導体素子には,高温での素子動作ばかりでなく強い耐放射線性が要求される.今回我々は,広いバンドギャップをもつ炭化けい素半導体を用いて作製したMOS構造素子のγ線照射効果を調べた.また酸化膜中の電荷分布の照射による変化も併せて調べ,γ線照射効果のメカニズムを追求した.copyright(c)1998 IEICE許諾番号:08RB0010 http://search.ieice.org/index.html

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