炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム
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- タンカ ケイソ ハンドウタイ MOS コウゾウ ノ ガンマセン ショウシャ コ
- ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集
- ワイド ギャップ ハンドウタイ ト ソノ デバイス オウヨウ ロンブン ショウ
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- 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
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電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 81 (1), 140-150, 1998-01
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572360260657664
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- NII Article ID
- 110003314895
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- NII Book ID
- AN10071294
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- ISSN
- 09151907
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- NDL BIB ID
- 4392169
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles