MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
Bibliographic Information
- Other Title
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- MOVPEホウ ニ ヨル Si キバン ジョウ GaP ト Si ヒョウメン ショリ ノ カンケイ
- Influence of Si thermal annealing on GaP structure grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy
- 電子部品・材料
- デンシ ブヒン ・ ザイリョウ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (175), 17-20, 2012-08
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832124378752
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- NII Article ID
- 110009626911
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 023935022
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles