塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング
Bibliographic Information
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- エンソケイ ガス ニ ヨル SiC ノ プラズマレス ・ エッチング
- Plasmaless Etching of Silicon Carbide Using Chlorine Based Gas
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (337), 7-12, 2012-12-07
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832573511296
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- NII Article ID
- 110009667295
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 024197131
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
