昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
Bibliographic Information
- Other Title
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- ショウオン ダツリホウ ト トウオン ダツリホウ オ モチイタ Si 100 ヒョウメン カラ ノ スイソ ダツリ バリヤー ヒョウカ
- Evaluation of hydrogen desorption barrier from Si(100) surface using temperature-programmed desorption and isothermal desorption
- 電子部品・材料
- デンシ ブヒン ザイリョウ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (171), 5-8, 2009-08
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832680776960
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- NII Article ID
- 110007359257
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 10350047
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
