ハフニウム酸化物への元素添加効果--第一原理計算による検討
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- ハフニウム サンカブツ エ ノ ゲンソ テンカ コウカ ダイイチ ゲンリ ケイサン ニ ヨル ケントウ
- Effects of foreign atom incorporation into HfO2 dielectrics: examination using a first-principles method
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- シリコン ザイリョウ デバイス
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (114), 75-80, 2011-07-04
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832682443008
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- NII Article ID
- 110008800859
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 11200257
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles