Spatially varied orientation selective epitaxial growth of (100) and (110) CeO2 layers on Si(100) substrates using absorbed electron imaging system
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- Spatially varied orientation selective epitaxial growth of 100 and 110 CeO2 layers on Si 100 substrates using absorbed electron imaging system
- 吸収電流像観察システムを用いて空間的に分離して方位選択エピタキシャル成長させたSi(100)基板上の(100)と(110)CeO2層の形成
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- いわき明星大学科学技術学部研究紀要 = Research bulletin of Iwaki Meisei University College of Science and Engineering
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いわき明星大学科学技術学部研究紀要 = Research bulletin of Iwaki Meisei University College of Science and Engineering (24), 1-8, 2011-03
いわき : いわき明星大学科学技術学部研究紀要編集委員会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853832734106112
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- NII Article ID
- 40018855930
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- NII Book ID
- AA12144637
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- ISSN
- 18806813
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- NDL BIB ID
- 11128278
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- Text Lang
- en
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- NDL Source Classification
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- Data Source
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- NDL
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