Emission Properties of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes in 2μm Wavelength Region Grown on InP Substrates
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- Emission Properties of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes in 2マイクロm Wavelength Region Grown on InP Substrates
- Special Issue: Solid State Devices & Materials
- Special Issue Solid State Devices Materials
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
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Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 45 (4B), 3453-3456, 2006-04
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833034123904
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- NII論文ID
- 40007238521
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- NII書誌ID
- AA10457675
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 7895599
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles