活性水素援用CVD法によるGaAsの原子層エピタキシー
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- Other Title
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- カッセイ スイソ エンヨウ CVDホウ ニヨル GaAs ノ ゲンシソウ エピ
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資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
Journal
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- レーザー科学研究 / 理化学研究所 編
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レーザー科学研究 / 理化学研究所 編 (18), 9-11, 1996-09
和光 : 理化学研究所
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833116299392
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- NII Article ID
- 40004513749
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- NII Book ID
- AN0035159X
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- ISSN
- 02898411
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- NDL BIB ID
- 4045752
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- Data Source
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- NDL Search
- CiNii Articles