温度差法によるInxGa1-xSb結晶成長の一次元モデル解析
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- オンドサホウ ニ ヨル InxGa1 xSb ケッショウ セイチョウ ノ 1ジゲン モデル カイセキ
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- 静岡大学電子工学研究所研究報告
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静岡大学電子工学研究所研究報告 38 1-7, 2003
浜松 : 静岡大学電子工学研究所
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833188670080
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- NII Article ID
- 110000458668
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- NII Book ID
- AN00103204
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- ISSN
- 02863383
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- NDL BIB ID
- 6967203
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
