書誌事項
- タイトル別名
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- MOSFETの雑音特性を計測する新手法を開発
- MOSFET ノ ザツオン トクセイ オ ケイソク スル シン シュホウ オ カイハツ
- MOSFETの雑音特性を計測する新手法を開発
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抄録
第2版の雑音プローブでは、LNAの性能とLNAまでの配線長から計算したシミュレーション結果と、実測の結果がほぼ同一だった。100MHz付近までの帯域ではLNAの性能が支配的で、プローブの針先の構造などはまだ影響していないと推測できる。そこで第3版の試作では、デ…
収録刊行物
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1122), 87-93, 2013-11-25
東京 : 日経BP
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833489563392
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- NII論文ID
- 40019872818
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- NII書誌ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL書誌ID
- 025011736
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP
- CiNii Articles