MOSFETの雑音特性を計測する新手法を開発

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  • MOSFET ノ ザツオン トクセイ オ ケイソク スル シン シュホウ オ カイハツ
  • 論文：ＭＯＳＦＥＴの雑音特性を　計測する新手法を開発

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第2版の雑音プローブでは、LNAの性能とLNAまでの配線長から計算したシミュレーション結果と、実測の結果がほぼ同一だった。100MHz付近までの帯域ではLNAの性能が支配的で、プローブの針先の構造などはまだ影響していないと推測できる。そこで第3版の試作では、デ…

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