Effect of growth mode on Eu-incorporation and luminescence of Eu-doped GaN epitaxial film grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
書誌事項
- タイトル別名
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- Effect of growth mode on Eu incorporation and luminescence of Eu doped GaN epitaxial film grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 50 (3), 031003-, 2011-03
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833754948864
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- NII論文ID
- 40018777863
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
- 13474065
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- NDL書誌ID
- 11054140
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- Crossref
- CiNii Articles