High-Power-Density and High-Efficiency Atomic-Planar-Doped AlGaAs/InGaAs Quantum-Well Power High-Electron-Mobility Transistors for 2.4 V Medium-Power Wireless Communication Applications
書誌事項
- タイトル別名
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- High-Power Density and High-Efficiency
- Solid State Devices and Materials
- Solid State Devices and Materials
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
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Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 36 (3B), 1856-1861, 1997-03
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853833967159808
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- NII論文ID
- 110003946902
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- NII書誌ID
- AA10457675
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 4196727
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles