書誌事項
- タイトル別名
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- Poly Si TFT ニ オケル ヨウリョウ デンアツ トクセイ ノ シミュレーション ニ ヨル カイセキ
- Analysis of capacitance-voltage characteristics of Poly-Si TFTs using device simulation
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (388), 15-18, 2007-12-14
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853834163697280
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- NII論文ID
- 110006549251
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 9329996
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles