High Performance and Highly Reliable Novel CMOS Devices Using Accumulation Mode Fully Depleted SOI MOSFETs
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (277), 57-61, 2006-10
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853834282878336
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- NII論文ID
- 110004852902
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 8537702
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles
