次世代半導体製造プロセスにおける金属不純物汚染制御--新規材料元素の拡散挙動予測
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- ジセダイ ハンドウタイ セイゾウ プロセス ニ オケル キンゾク フジュンブツ オセン セイギョ シンキ ザイリョウ ゲンソ ノ カクサン キョドウ ヨソク
- Contamination control of metallic impurities in ULSI manufacturing process: diffusion behavior of new material elements
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- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編
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電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編 90 (8), 600-607, 2007-08
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853834387408512
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- NII Article ID
- 110007379916
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- NII Book ID
- AA11412446
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- ISSN
- 13452827
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- NDL BIB ID
- 8916840
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
