メモリLSI 多値フラッシュ・メモリの製品化
Bibliographic Information
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- メモリ LSI タチ フラッシュ メモリ ノ セイヒンカ
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Journal
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (685), 161-168, 1997-03-24
東京 : 日経BP
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520853835234818432
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- NII Article ID
- 40002805144
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- NII Book ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL BIB ID
- 4160284
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles