AlN基板を用いたAlGaNチャネルHEMTエピの開発
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- AlN キバン オ モチイタ AlGaN チャネル HEMT エピ ノ カイハツ
- Epitaxial layers of AlGaN channel high electron mobility transistors on AlN substrates
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Journal
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- 住友電工テクニカルレビュー = Technical review : 住友電工グループ技術論文誌
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住友電工テクニカルレビュー = Technical review : 住友電工グループ技術論文誌 (177), 92-96, 2010-07
大阪 : 住友電気工業
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520854806228855296
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- NII Article ID
- 40017251999
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- NII Book ID
- AA11234530
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- ISSN
- 13434330
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- NDL BIB ID
- 10792926
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
