書誌事項
- タイトル別名
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- ラピダス ガ タシャ ニ オイツク キサク アリ モト トウシバ ケンキュウシャ ガ シン コウゾウ オ テイショウ
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抄録
1nm世代プロセス以降の次世代半導体で使われるトランジスタ構造「CFET」。台湾積体電路製造（TSMC）や韓国Samsung Electronics（サムスン電子）など半導体製造の先頭を走る企業がこぞって研究し、Rapidus（ラピダス、東京・千代田）もフランスの半導体研究機関Letiと共同…
収録刊行物
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1262), 54-58, 2024-04
東京 : 日経BP
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520863102289868800
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- NII書誌ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL書誌ID
- 033399752
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP