Fabrication of vertical InGaAs channel metal-insulator-semiconductor field effect transistor with a 15-nm-wide mesa structure and a drain current density of 7MA/cm[2]
書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication of vertical InGaAs channel metal insulator semiconductor field effect transistor with a 15 nm wide mesa structure and a drain current density of 7MA cm 2
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収録刊行物
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- Applied physics express : APEX
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Applied physics express : APEX 3 (8), 2010-08
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521136280314532352
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- NII論文ID
- 10026586520
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- NII書誌ID
- AA12295133
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- ISSN
- 18820778
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- NDL書誌ID
- 10793653
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles