SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来
Bibliographic Information
- Other Title
-
- SiC キバン ジョウ ニ サクセイ シタ チッカブツ ハンドウタイ デバイス ノ ゲンジョウ ト ショウライ
- 特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術
- トクシュウ ジ セダイ ハンドウタイ デバイス ト シテ ノ SiCタンケッショウ オ モチイタ オプトメカトロニクス ギジュツ
Search this article
Journal
-
- 光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact
-
光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact 44 (12), 699-708, 2006-12
東久留米 : 光学工業技術協会
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1521136280407454464
-
- NII Article ID
- 40015223193
-
- NII Book ID
- AN10075091
-
- ISSN
- 09137289
-
- NDL BIB ID
- 8618849
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles
