MOCVD法による化合物半導体エピタキシャル成長(3)
書誌事項
- タイトル別名
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- MOCVDホウ ニ ヨル カゴウブツ ハンドウタイ エピタキシャル セイチョウ 3
- Epitaxial growth of compound semiconductors using MOCVD (3)
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収録刊行物
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- 住友化学 : 技術誌
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住友化学 : 技術誌 2008 (1), 4-15, 2008-05
東京 : 住友化学
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521136280660983296
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- NII論文ID
- 40016115911
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- NII書誌ID
- AN00125568
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- ISSN
- 03871312
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- NDL書誌ID
- 9554564
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZP1(科学技術--化学・化学工業)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles