Increased Subthreshold Current due to Source-Drain Direct Tunneling in Ultrashort-Channel Ⅲ–Ⅴ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
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収録刊行物
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- Applied physics express : APEX
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Applied physics express : APEX 6 (6), 2013-06
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521417754950050816
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- NII論文ID
- 10031181983
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- NII書誌ID
- AA12295133
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- ISSN
- 18820778
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- NDL書誌ID
- 024645322
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles