特集関連インタビュー IGBT発展を支えた要因を分析、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後のパワーデバイスの展望を語る 高耐圧大容量分野のパワーデバイス発展を支える力/東芝 研究開発センター 中川明夫氏・四戸孝氏に聞く

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  • トクシュウ カンレン インタビュー IGBT ハッテン オ ササエタ ヨウイン オ ブンセキ ワイドバンドギャップ ハンドウタイ オ フクメタ コンゴ ノ パワーデバイス ノ テンボウ オ カタル コウタイアツ ダイ ヨウリョウ ブンヤ ノ パワーデバイス ハッテン オ ササエル チカラ トウシバ ケンキュウ カイハツ センター ナカガワアキオ シ シノヘ タカシ シ ニ キク
  • 特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
  • トクシュウ 1 2003ネンバン パワー ハンドウタイ デバイス カツヨウ ギジュツ デンゲンヨウ IC パワー MOSFET IGBT カラ ワイドバンドギャップ ハンドウタイ マデ

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  • 電子技術

    電子技術 45 (10), 2-6, 2003-08

    東京 : 日刊工業新聞社

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