スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速エピタキシャル成長と太陽電池応用
書誌事項
- タイトル別名
-
- スパッタ タイセキホウ ニ ヨル Si/Ge ノ テイオン コウソク エピタキシャル セイチョウ ト タイヨウ デンチ オウヨウ
- High Speed Sputter Epitaxy of Si/Ge and its Application to Si Based Solar Cells
- 特集 次世代エネルギー技術開発の展望
- トクシュウ ジセダイ エネルギー ギジュツ カイハツ ノ テンボウ
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 化學工業
-
化學工業 66 (3), 198-205, 2015-03
東京 : 小峰工業出版
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1521699230091479680
-
- NII論文ID
- 40020378168
-
- NII書誌ID
- AN00037245
-
- ISSN
- 04512014
-
- NDL書誌ID
- 026193749
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZP1(科学技術--化学・化学工業)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles