Coexistence of Small Threshold Voltage Instability and High Channel Mobility in 4H-SiC(0001) Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
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収録刊行物
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- Applied physics express : APEX
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Applied physics express : APEX 5 (4), 2012-04
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521699230750580096
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- NII論文ID
- 10030592537
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- NII書誌ID
- AA12295133
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- ISSN
- 18820778
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- NDL書誌ID
- 023587554
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles