材料学的観点からみたSiCパワーデバイスの課題と将来展望 : SiC MOSFETのチャネル特性の制約要因の理解はどこまで進んだか
書誌事項
- タイトル別名
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- ザイリョウガクテキ カンテン カラ ミタ SiC パワーデバイス ノ カダイ ト ショウライ テンボウ : SiC MOSFET ノ チャネル トクセイ ノ セイヤク ヨウイン ノ リカイ ワ ドコ マデ ススンダ カ
- 特集 パワー半導体の現状と将来
- トクシュウ パワー ハンドウタイ ノ ゲンジョウ ト ショウライ
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収録刊行物
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- 電氣評論 = Electrical review
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電氣評論 = Electrical review 105 (12), 18-25, 2020-12
京都 : 電気評論社
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1522262180911788032
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- NII論文ID
- 40022454965
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- NII書誌ID
- AN00152651
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- ISSN
- 02855860
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- NDL書誌ID
- 031225028
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles