縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性
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- タテガタ CVDロ ニ オケル 4H SiC エピタキシャルソウ ノ セイチョウ ト デンキ トクセイ
- シリコンカーバイド素子
- シリコンカーバイド ソシ
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- FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編]
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FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編] 12 (3), 17-20, 2001
東京 : 新機能素子研究開発協会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1522543655318443136
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- NII Article ID
- 40005685871
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- NII Book ID
- AN10190078
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- ISSN
- 09182772
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- NDL BIB ID
- 6456083
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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