シミュレーションによるSiCトレンチ型MOSFETの特性予測
書誌事項
- タイトル別名
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- シミュレーション ニ ヨル SiC トレンチガタ MOSFET ノ トクセイ ヨソク
- Simulation Based Prediction of SiC Trench-Type MOSFET Characteristics
- 特集 製品開発を支えるシミュレーション技術
- トクシュウ セイヒン カイハツ オ ササエル シミュレーション ギジュツ
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収録刊行物
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- 富士電機技報 = Fuji Electric journal
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富士電機技報 = Fuji Electric journal 89 (1), 11-15, 2016-03
東京 : 富士電機技術開発本部 ; 2012-
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1522825130269764096
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- NII論文ID
- 40020833922
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- NII書誌ID
- AA12576063
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- ISSN
- 21871817
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- NDL書誌ID
- 027320060
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
