Effect of Postdeposition Annealing Temperatures on Electrical Characteristics of Molecular-Beam-Deposited HfO₂ on n-InAs/InGaAs Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1522825130346426880

• NII論文ID

  10030155183

• NII書誌ID

  AA12295133

• ISSN

  18820778

• NDL書誌ID

  023454284

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/023454284

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023454284

• 本文言語コード

  en

• NDL 雑誌分類

  • ZM35(科学技術--物理学)

• データソース種別

  • NDL
  • CiNii Articles