Semiconductor-metal transition and band-gap tuning in quasi-free-standing epitaxial bilayer graphene on SiC
書誌事項
- タイトル別名
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- Semiconductor metal transition and band gap tuning in quasi free standing epitaxial bilayer graphene on SiC
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収録刊行物
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- Journal of the Physical Society of Japan
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Journal of the Physical Society of Japan 80 (2), 2011-02
Tokyo : Physical Society of Japan
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1522825130485408256
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- NII論文ID
- 40018273866
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- NII書誌ID
- AA00704814
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- ISSN
- 00319015
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- NDL書誌ID
- 10974874
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles