特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
書誌事項
- タイトル別名
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- トクシュウ 1 2003ネンバン パワー ハンドウタイ デバイス カツヨウ ギジュツ デンゲンヨウ IC パワー MOSFET IGBT カラ ワイドバンドギャップ ハンドウタイ マデ
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説明
記事種別: 特集
収録刊行物
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- 電子技術
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電子技術 45 (10), 1-59, 2003-08
東京 : 日刊工業新聞社
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1523388079919110656
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- NII論文ID
- 40005875030
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- NII書誌ID
- AN00152888
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- ISSN
- 03668819
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- NDL書誌ID
- 6641592
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles