パワー半導体IGBTの深い活性化のためのハイブリッドレーザアニール装置の開発
書誌事項
- タイトル別名
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- パワー ハンドウタイ IGBT ノ フカイ カッセイカ ノ タメ ノ ハイブリッドレーザアニール ソウチ ノ カイハツ
- Development of Hybrid Laser Annealing System for Deep Activation of Power Semiconductor IGBTs
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収録刊行物
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- 日本製鋼所技報
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日本製鋼所技報 (63), 102-107, 2012
東京 : 日本製鋼所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1523669555713847936
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- NII論文ID
- 40019454100
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- NII書誌ID
- AN00193670
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- ISSN
- 0369562X
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- NDL書誌ID
- 024022758
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZP42(科学技術--金属工学・鉱山工学--鉄鋼)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles