携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器(GaN HEMT)の開発
Bibliographic Information
- Other Title
-
- ケイタイ デンワ キチキョクヨウ チッカ ガリウム デンリョク ゾウフクキ GaN HEMT ノ カイハツ
- Development of gallium nitride high electron mobility transistor for cellular base stations
Search this article
Journal
-
- 住友電工テクニカルレビュー = Technical review : 住友電工グループ技術論文誌
-
住友電工テクニカルレビュー = Technical review : 住友電工グループ技術論文誌 (177), 97-102, 2010-07
大阪 : 住友電気工業
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1523951030972942336
-
- NII Article ID
- 40017252000
-
- NII Book ID
- AA11234530
-
- ISSN
- 13434330
-
- NDL BIB ID
- 10792941
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles
